場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor—FET)是單極型晶體管，與雙極型晶體管 BJT 都屬于晶體管(Transistor)。在雙極型晶體管中，載流子包含電子運(yùn)動(dòng)，也包含空穴運(yùn)動(dòng)，像雙重合力一般流向兩個(gè)極；而在場(chǎng)效應(yīng)管中，只有一種載流子運(yùn)動(dòng)，或者電子或者空穴，流向一個(gè)極，因此叫單極型晶體管。

單極型的場(chǎng)效應(yīng)管雖然誕生較晚，但從它一出世，就以其自身固有的優(yōu)點(diǎn)，比如低噪

聲、高阻低功耗、熱穩(wěn)定性好等，展開(kāi)了與雙極型管的殊死搏斗，兩者都能實(shí)現(xiàn)放大功能和開(kāi)關(guān)功能，因此在哪些場(chǎng)合用什么，就成了必須討論的問(wèn)題。首先在處理器中，也就是數(shù)字領(lǐng)域，F(xiàn)ET 中的一類(lèi)叫 MOSFET，以其極低的功耗吸引了科學(xué)家和投資者，這使得MOSFET 在初選中就贏得了先機(jī)，它的缺點(diǎn)也就被科學(xué)家和投資者一一克服?，F(xiàn)在的處理器，全部使用 MOSFET 實(shí)現(xiàn)，在此領(lǐng)域 FET 完勝對(duì)手。在運(yùn)算放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、電源模塊等模擬器件中，原本屬于雙極型晶體管的陣地，現(xiàn)在也開(kāi)始逐步拱手想讓。因此，越來(lái)越多的用人單位，開(kāi)始要求高校加大對(duì) FET 的講解力度。

雖然如此，雙極性晶體管仍有其固守陣地的資本，比如超高頻、電流放大能力強(qiáng)、價(jià)格便宜、電路成熟、會(huì)用的人多，以及其它細(xì)微的特點(diǎn)。總之，我們固有的觀念一天天被打破——小個(gè)子跳高得了冠軍——我們不斷見(jiàn)到一個(gè)個(gè)原本屬于雙極型晶體管優(yōu)勢(shì)應(yīng)用的場(chǎng)合，被 FET 占領(lǐng)。但至少現(xiàn)在，仍不是宣布 BJT 消亡的時(shí)刻。
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