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  • 場效應晶體管的具體參數詳解
    • 發布時間:2021-09-08 18:08:54
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    場效應晶體管的具體參數詳解
    電子元器件市場中,以場效應晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛,可是對于場效應晶體管的參數,大家都是一籌莫展,因為場效應晶體管的參數有很多,其中包括直流參數、交流參數和極限參數等,但普通運用時只需關注以下主要參數:飽和漏源電流IDSS夾斷電壓Up,(結型管和耗盡型絕緣柵管,或開啟電壓UT(加強型絕緣柵管)、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、耗散功率PDSM和漏源電流IDSM。
    場效應管
    (1)飽和漏源電流
    飽和漏源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場效應晶體管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流。
    (2)夾斷電壓
    夾斷電壓UP是指結型或耗盡型絕緣柵場效應晶體管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道管的UGS一ID曲線,可明白看出IDSS和UP的意義。
    (3)開啟電壓
    開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應晶體管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。
    (4)跨導
    跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。9m是權衡場效應晶體管放大才能的重要參數。
    (5)漏源擊穿電壓
    漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,場效應晶體管正常工作所能接受的漏源電壓。這是一項極限參數,加在場效應晶體管上的工作電壓必需小于BUDS。
    (6)耗散功率
    耗散功率PDSM也是—項極限參數,是指場效應晶體管性能不變壞時所允許的漏源耗散功率。運用時場效應晶體管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。
    (7)漏源電流
    漏源電流IDSM是另一項極限參數,是指場效應晶體管正常工作時,漏源間所允許經過的電流。場效應晶體管的工作電流不應超越IDSM。
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