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    MOS管,mos管怎么測(cè)試好壞,快速判斷
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-05-07 18:10:38
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    MOS管,mos管怎么測(cè)試好壞,快速判斷
    一、從外觀上進(jìn)行初步檢查
    首先看管子有無(wú)裂紋,其次看絕緣層是否完整,優(yōu)質(zhì)的MOS管應(yīng)該具有光滑平整的表面,無(wú)裂紋、崩坑、劃痕等缺陷;同時(shí),應(yīng)該注意檢查MOS管的引腳是否松動(dòng)或脫落,引線的焊接點(diǎn)有無(wú)脫焊虛焊等缺陷,以及外殼是否完好無(wú)損。
    二、電氣性能測(cè)試
    1. 電阻測(cè)量
    通過(guò)測(cè)量MOS管的電阻值可以初步判斷其好壞,一般來(lái)說(shuō),優(yōu)質(zhì)MOS管的源極和漏極之間的電阻值應(yīng)該接近無(wú)窮大,而柵極電阻則比較合適,不宜過(guò)小或過(guò)大。如果發(fā)現(xiàn)電阻值異常,可能是MOS管存在短路或斷路等故障。
    2. 電壓測(cè)量
    通過(guò)測(cè)量MOS管的電壓可以判斷其工作狀態(tài)。在正常情況下,MOS管的柵極電壓應(yīng)該接近于零,源極和漏極之間的電壓則應(yīng)該接近于電源電壓。如果發(fā)現(xiàn)電壓異常,可能是MOS管存在損壞或故障。
    3. 電流測(cè)量
    通過(guò)測(cè)量MOS管的電流可以判斷其負(fù)載能力。在正常情況下,MOS管的漏極電流應(yīng)該隨著源極電壓的升高而逐漸增大。如果發(fā)現(xiàn)電流異常,可能是MOS管存在短路或故障。
    為了保護(hù)電路板上的其他組件,在將mos管連接到電路之前對(duì)其測(cè)試至關(guān)重要。mos管主要有三個(gè)引腳:漏極、源極和柵極。
    當(dāng)使用有故障的mos管時(shí),會(huì)發(fā)生漏極到柵極的短路,對(duì)電路有害。
    這種短路的結(jié)果可能是漏極電壓反饋,它也會(huì)影響柵極端子。到達(dá)該端后,電壓通過(guò)柵極電阻進(jìn)一步傳遞到驅(qū)動(dòng)電路,這種傳輸可能導(dǎo)致對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的進(jìn)一步損壞。
    mos管怎么測(cè)試好壞
    使用萬(wàn)用表測(cè)mos管好壞
    1.用萬(wàn)用表測(cè)量mos管兩端之間的電壓,如果阻值在1v以下說(shuō)明是短路現(xiàn)象,如果是正常的則表示是開(kāi)路。
    2.測(cè)出兩腳之間的電阻,一般阻值為幾歐姆就代表什么故障了
    3.將萬(wàn)用表的r×l擋調(diào)到最大檔再量一遍(因?yàn)橛行┰淖柚岛苄。?/div>
    4.將兩個(gè)腳的電壓相加后除以2,就是該腳的正常電壓了。
    5.把萬(wàn)用表打到交流檔上分別測(cè)一下兩個(gè)引腳的正負(fù)極是否相同。
    mos管具有內(nèi)部體二極管。因此,在NMOS中,體二極管通常是從源極到漏極。在這種情況下,陽(yáng)極位于源極,而陰極位于漏極。
    通過(guò)二極管測(cè)試來(lái)測(cè)試mos管好壞的一些關(guān)鍵步驟:
    1、確保萬(wàn)用表處于二極管模式
    2、對(duì)于NMOS測(cè)試,將萬(wàn)用表的紅色探頭連接mos管源極,將黑色探頭連接到漏極。在這方面,體內(nèi)二極管處于正向偏置模式。在此模式下,萬(wàn)用表應(yīng)該顯示0.4V至0.9V之間的讀數(shù)。如果萬(wàn)用表顯示讀數(shù)為零或無(wú)讀數(shù),則該mos管有故障。
    3、當(dāng)顛倒探頭連接時(shí),讀數(shù)應(yīng)該是“開(kāi)路”或沒(méi)有讀數(shù),表明mos管良好。因?yàn)槎O管現(xiàn)在處于反向偏置狀態(tài),如果萬(wàn)用表指示任何讀數(shù)不為零,則設(shè)備有故障。
    對(duì)于Nmos管
    mos管怎么測(cè)試好壞
    對(duì)于Pmos管
    mos管怎么測(cè)試好壞
    注意事項(xiàng):
    (1)當(dāng)溫度變化較大時(shí)應(yīng)采用雙金屬片作為散熱片
    (2)當(dāng)環(huán)境濕度較高時(shí)應(yīng)采用密封膠條
    (3)不要用手直接觸摸
    (4)避免受到?jīng)_擊、震動(dòng)及強(qiáng)磁場(chǎng)的影響
    (6)不要在超過(guò)額定功率下長(zhǎng)期運(yùn)行
    (7)不要超負(fù)載工作
    (8)不要讓水汽進(jìn)入
    (9)不要隨意改變線路中的元器件
    (10)不要讓灰塵侵入 mosfet器件
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