不同型號(hào)的MOS管由于結(jié)構(gòu)，制程，工藝的不同，其開(kāi)啟電壓也是不同的，如下圖所示，有些開(kāi)啟電壓1.5V即可，有些則要4.5V，那么我們?cè)隍?qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的MOS時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓越高越好?還是說(shuō)只要大于開(kāi)啟電壓就行呢?接下來(lái)我們就這些問(wèn)題講解一下。

不同型號(hào)MOS管開(kāi)啟電壓

MOS管驅(qū)動(dòng)電壓越高越好嗎?

MOS管驅(qū)動(dòng)電壓是不是越高越好這個(gè)問(wèn)題要分兩方面來(lái)闡述，首先驅(qū)動(dòng)電壓低，意味著我們?cè)陂_(kāi)關(guān)MOS時(shí)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗比較小，特別是在一些高頻應(yīng)用中。但是另一方面，在一些使用MOS進(jìn)行大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用的場(chǎng)合中，由于電流比較大，此時(shí)MOS由于Rds導(dǎo)通內(nèi)阻的存在，會(huì)導(dǎo)致MOS發(fā)熱比較嚴(yán)重，為了減小MOS管的發(fā)熱，我們一般通過(guò)提高Gate驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)降低MOS管的Rds導(dǎo)通內(nèi)阻，從而降低發(fā)熱。我們都知道MOS管由于GS,GD寄生電容的存在導(dǎo)致MOS管存在一個(gè)平臺(tái)電壓，所以驅(qū)動(dòng)電壓至少應(yīng)大于平臺(tái)電壓，使得MOS管工作在飽和區(qū)。

MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻和Vgs關(guān)系曲線(xiàn)

一般來(lái)說(shuō)驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)部一般會(huì)集成自舉電路輸出一個(gè)較高的驅(qū)動(dòng)電壓，所以更高的驅(qū)動(dòng)電壓，更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力往往意味著成本的上升，所以綜合MOS管溫升，成本，開(kāi)關(guān)損耗等因素來(lái)決定你得驅(qū)動(dòng)電壓才是合理的。

另外一方面我們?cè)谶M(jìn)行MOS的驅(qū)動(dòng)IC選型時(shí)，也要注意驅(qū)動(dòng)IC的Gate關(guān)閉電壓，因?yàn)橛行㊣C的Gate關(guān)閉電壓并不為0，比如下面例子中在worse case情況下甚至達(dá)到了1.5V，雖然這種情況比較少見(jiàn)，但是一旦大規(guī)模量產(chǎn)，總會(huì)出現(xiàn)的，這樣當(dāng)我們的MOS開(kāi)啟電壓超過(guò)1V時(shí)，采用這個(gè)驅(qū)動(dòng)IC可能存在MOS無(wú)法正常關(guān)斷的情況，這是很危險(xiǎn)的。因?yàn)橐坏┠愕肕OS無(wú)法正常關(guān)斷，在輸出負(fù)載短路時(shí)，MOS可能會(huì)由于溫升過(guò)大直接燒毀了。

總結(jié)

所以總結(jié)來(lái)說(shuō)，我們?cè)陉P(guān)注MOS管驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)既要關(guān)注MOS管的開(kāi)啟電壓，也要關(guān)注驅(qū)動(dòng)IC的Gate關(guān)閉電壓，同時(shí)還要考慮大電流應(yīng)用場(chǎng)合中的Rds導(dǎo)通內(nèi)阻導(dǎo)致的MOS管發(fā)熱問(wèn)題，當(dāng)然成本考慮也是必不可少的。