我們首先拿一個NMOS來舉例。
對于N溝道MOS管來說其導通條件一般為VG大于VS電壓。
假設(shè)一個5V電壓作用于柵極，MOS管在這一瞬間被導通。
原因是此時VG=5V, VS=0V,從而滿足了導通條件VGS大于0。
當MOS管導通后，VS會變?yōu)閂CC,也就是12V，在這時VGS電壓將變?yōu)?V，減去原本的12V，VGS變成了-7V，在這一瞬間MOS管將被關(guān)斷。
但在某些電路中又必須將負載放在源極下面。
用三極管基極通上高電平，三極管導通，這就意味著mos管的柵極連接到了0V，所以MOS管關(guān)斷。
但同時，這個電容器將充電到12V，在這個充電過程中，源極電壓會慢慢從12V降為0V，所以當三極管基極放置低信號時，三極管被關(guān)斷，在這一瞬間MOS管的柵極電壓被電容抬高了。
因此，加在柵極上的電壓，是電容器的12V再加上來自VCC的12V電壓，所以是24V。
最后，這次GS電壓為24,減去前面的12，為12V，因此mos管處于導通狀態(tài)。
（MOS管負載開關(guān)電路原理圖）
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