<samp id="ck6os"></samp>
    <samp id="ck6os"><tbody id="ck6os"></tbody></samp>
    <strike id="ck6os"></strike>
    <strike id="ck6os"></strike>

    您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網!

    深圳市烜芯微科技有限公司

    ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
    二極管、三極管、MOS管、橋堆

    全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • 使用快恢復二極管MOSFET在電源中的應用介紹
    • 發布時間:2025-02-24 18:49:46
    • 來源:
    • 閱讀次數:
    使用快恢復二極管MOSFET在電源中的應用介紹
    “超級結”技術由于其優越的品質因數,已經在擊穿電壓超過600V的功率MOSFET市場中占據主導地位。在設計基于超級結的功率器件時,工程師必須考慮一些因素,以提高電源應用中的效率、功率密度和可靠性。
    工程考慮因素
    如圖1所示,首先需要考慮的是P列從基區延伸,形成漂移區的“電荷平衡”,以實現更高的摻雜濃度,即相應區域的更低電阻。延伸的結區域帶來了過多反向恢復電荷的缺點。
    快恢復二極管 MOSFET
    圖1:超級結MOSFET中的PN結
    圖2顯示了一個典型的半橋配置,在低側MOSFET開啟前的死區時間內,電流通過高側MOSFET的體二極管自由回路。低側MOSFET開始開啟時發生體二極管的反向恢復。
    由于高側MOSFET的反向恢復電荷,低側MOSFET會看到一個負電流尖峰。這會導致低側MOSFET過大的開啟損耗。同時,高側MOSFET在Tb期間會看到一個高的上升速率電壓和電壓尖峰,這會對器件造成過載。
    快恢復二極管 MOSFET
    圖2:半橋電路中的體二極管反向恢復
    最終,如圖3的示例所示,當正向電流和電流上升速率超出器件的安全工作范圍時,600V超級結器件的故障是由體二極管恢復引起的。
    快恢復二極管 MOSFET
    快恢復二極管 MOSFET
    圖3:說明由體二極管反向恢復引起的設備故障
    需要注意的問題是,基于超級結的功率器件中的體二極管反向恢復已經深刻影響了高壓功率器件在電源設計中的選擇。圖4顯示了AC/DC電源中的典型電路。
    在功率因數校正階段,作為高側器件使用SiC肖特基二極管而不是同步整流FET,因為同步整流器的反向恢復引起的開關損耗在目標開關頻率下(通常高于50kHz)太高。
    在DC-DC階段,使用軟開關LLC電路,在正常運行模式下不會發生高壓器件的硬換相。器件的硬換相會導致體二極管反向恢復,因此在這種情況下不會發生。
    然而,在異常運行條件下如啟動和短路瞬態期間,LLC電路中可能會發生硬換相。LLC電路的控制器設計中通常需要對這些瞬態進行保護。未能防止LLC電路中的硬換相可能會由于非常迅猛的體二極管反向恢復瞬態導致高壓器件故障。
    快恢復二極管 MOSFET
    圖4:典型的 AC/DC 電源電路結構
    在某些情況下,高壓器件的體二極管反向恢復是無法避免的。例如,在具有數字控制器的高功率LLC轉換器中,沒有逐周期硬換相保護。在高壓電機驅動應用中,高側和低側開關都需要有源器件(MOSFET/IGBT)。在這些應用中,改善體二極管的反向恢復電荷和可靠性是高壓功率器件的關鍵要求。
    αMOS5快速恢復二極管技術
    由Alpha和Omega Semiconductor(AOS)開發的αMOS5快速恢復二極管(FRD)MOSFET平臺專門針對低反向恢復電荷和開關魯棒性進行了優化。
    在這項技術中應用了電子輻照來控制反向恢復階段雙極載流子的壽命。它通過創建缺陷作為復合中心,加速FRD在正向偏置和反向恢復階段的電子/空穴對復合過程,從而顯著減少FRD漂移區存儲的過多電荷總量。
    比較具有相同超級結結構但不同載流子壽命控制的Qrr波形,ER處理的部分顯示出顯著減少的Qrr值。抑制的Qrr意味著FRD中會有更小的功率尖峰,從而抑制熱故障的風險。
    值得注意的是,MOSFET的有源/終止過渡區是反向恢復故障最脆弱的部分,因為它在有限的面積內通過高電流密度。αMOS5平臺的一個關鍵優勢是它采用了保守的終止設計,使電場在過渡區均勻分布。這一優化防止了在反向恢復tb階段由于過度功率密度引起的局部熱點燒毀。
    快恢復二極管 MOSFET
    圖5:ER控制的反向恢復波形
    測試結果
    AOS αMOS5 FRD MOSFET測試驗證了體二極管反向恢復的安全操作條件。測試結果在器件數據手冊中提供。
    圖6顯示了AOS的AOK042A60FD 600V 42m? αMOS5 SJ MOSFET和兩款具有相似BVdss和Rdson規格的競爭對手的測試波形。測試在50A正向電流和1000A/us上升速率下在三種不同溫度下進行。
    如表1所示,AOK042A60FD在200°C下通過了測試,而競爭對手在較低溫度下未能通過測試。
    快恢復二極管 MOSFET
    表1:反向恢復穩定性測試結果
    值得注意的是,AOK042A60FD在Tb期間波形中顯示出最低的漏極電壓上升速率。這有助于器件在嚴酷的反向恢復瞬態中生存并改善其EMI性能。
    測試結果顯示,AOS αMOS5 FRD SJ器件在反向恢復瞬態中提供了高度有效的體二極管魯棒性,這在LLC轉換器等橋式應用中確保了系統在異常和瞬態條件下的最高可靠性。
    〈烜芯微/XXW〉專業制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯系下方的聯系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
     
    聯系號碼:18923864027(同微信)
     
    QQ:709211280

    相關閱讀
    日韩精品无码永久免费网站| 久久精品无码一区二区三区不卡 | 亚洲av纯肉无码精品动漫| 99精品国产高清一区二区| 国内精品免费在线观看| 精品国产一区二区22| 无码人妻精品一区二区三区99不卡| 日韩成人免费视频| 国产精品亚洲综合| 国产精品高清全国免费观看| 国产精品自在在线午夜| 亚洲国产精品无码观看久久| 99久久人妻无码精品系列蜜桃| 亚洲精品一区二区三区四区乱码 | 国产精品久久久久久久久久久搜索 | 国产成人精品福利网站人| 精品伊人久久久久网站| 国产精品一区二区毛卡片| 亚洲国产精品无码久久| 热RE99久久精品国产66热| 99久久免费国产精品特黄| 亚洲国产精品免费观看 | 国产精品久久久久毛片真精品| 精品国产日韩亚洲一区在线| 国产69精品麻豆久久久久| 国产成人精品久久亚洲高清不卡| 欧美日韩精品乱国产| 老司机无码精品A| 大香视频伊人精品75| 国内精品久久人妻无码不卡| 国产精品嫩草影院在线| 国产精品午夜在线播放a| 国产在线无码精品无码| 日韩电影免费在线观看网址| 四虎国产精品免费久久影院| 亚洲性日韩精品一区二区三区 | 视频一区二区精品的福利| 日韩人妻高清精品专区| 久草这里只有精品| 精品久久久无码中文字幕| 国产午夜精品一二区理论影院|